技术难题：
大功率快恢复模块芯片研发。
主要技术目标：
通过调整铂扩散的时间和温度达到有效控制反向恢复时间 trr 的目的，使 trr 控制在 25ns 到 500ns 之间；其次，从减小器件反向漏电流 IR 方面着手，对 LPCVD 沉积掺氧半绝缘多晶硅薄膜系统进行了优化，使器件的反向漏电流 IR 控制在纳安级；再次，对玻璃钝化工艺进行了优化，有效解决了掺氧半绝缘多晶硅薄膜与玻璃钝化层之间的气泡问题；最后，从改善 trr 的均匀性与稳定性入手，通过分组实验不同型号的玻璃粉,最终选定更适合的玻璃粉配套快恢复二极管钝化工艺材料。
