高压大功率MOSFET器件封装设计_淮海经济区技术产权交易中心

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高压大功率MOSFET器件封装设计

发布时间：2023-04-20

截止时间：2028-12-31

投入预算：20万元

需求类型：技术难题需求

联系人：张琦

联系人电话：0516-83896150，18751512951

所在地：江苏省

简介： 对于功率器件而言，低导通损耗是产品应用选型的重要参考依据。寻求针对功率MOS降低导通内阻RDSON的技术及产品。1. 影响RDSON主要因素：A：从芯片而言，改进芯片导通沟道结构，寻求提升性能；B：从封装而言，优化封装结构设计降低寄生内阻，实现MOS产品低的RDSON 参数测试值；2. 目前行业内的主要做法：A：从芯片而言：（1）芯片工艺结构不变的基础上减薄芯片，以降低衬底电阻实现低的导通内阻；（2）增大单颗芯片尺寸，牺牲晶圆成本换取RDSON参数提升；B：...
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对于功率器件而言，低导通损耗是产品应用选型的重要参考依据。寻求针对功率MOS降低导通内阻RDSON的技术及产品。1. 影响RDSON主要因素：A：从芯片而言，改进芯片导通沟道结构，寻求提升性能；B：从封装而言，优化封装结构设计降低寄生内阻，实现MOS产品低的RDSON 参数测试值；
2. 目前行业内的主要做法：A：从芯片而言：（1）芯片工艺结构不变的基础上减薄芯片，以降低衬底电阻实现低的导通内阻；（2）增大单颗芯片尺寸，牺牲晶圆成本换取RDSON参数提升；B：从封装而言，采用Clip工艺取代铝带、铜线工艺，从而降低封装内阻；
3. 后续希望研究方向：A：从芯片而言，借鉴国际同行MOS芯片制造工艺，改进芯片结构工艺设计，从根本实现低的导通内阻，目前英飞凌已经推出第五代MOS产品，技术壁垒等因素，相对较难；B：从封装而言，优化封装结构设计，降低封装寄生内阻，实现MOS产品低RDSON；C：同时优化框架结构设计，增强框架密度，提升框架利用率，降低成本。