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发明专利

  • 专利名称:温室高山植物栽培基质
    专利类型:发明专利
    专利号:CN201610078159.4
    发布日期:2025-04-30
    授权公告日:
  • 详细内容

    本发明公开了一种温室高山植物栽培基质,从下至上依次铺设四层不同的基质,具体包括:基础层,其为石英、长石、云母、高岭石和花岗岩中一种或几种组合的混合物,所述基础层的厚度为30‑50cm,粒径大小为1‑5cm;原土层,其为高山草甸土或亚高山草甸土制得,所述原土层的厚度为30‑60cm;营养层,其为有机质、无机矿物质、无机肥和微生物菌肥的混合物,所述营养层的厚度为30‑120cm;以及覆盖层,其为蛭石和/或火山岩组成,所述覆盖层的厚度为3‑5cm。本发明的温室植物栽培基质易于生产,成本较低,应用于栽培温室景观高山植物能显著提高其移栽成活率。

    院属单位:中国科学院武汉植物园

    联系人:胡菁

    联系方式:18627169953

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