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发明专利

  • 专利名称:培育低镉积累水稻的方法及其相关材料的用途
    专利类型:发明专利
    专利号:CN201711001191.3
    发布日期:2025-06-26
    授权公告日:
  • 详细内容

    本发明公开了培育低镉积累水稻的方法及其相关材料的用途。该培育低镉积累水稻的方法,包括抑制或降低目的水稻中OsCd1/2基因表达,得到低镉积累水稻,目的水稻为含有OsCd1/2基因的水稻,所述低镉积累水稻对镉的积累量小于目的水稻对镉的积累量;OsCd1/2基因编码名称为OsCd1/2的蛋白质,OsCd1/2为a)或b):a)氨基酸序列是SEQ ID No.2或SEQ ID No.4的蛋白质;b)将SEQ ID No.2或SEQ ID No.4的氨基酸序列经过一个或几个氨基酸残基的取代和/或缺失和/或添加得到的具有调控生物镉积累活性的由a)衍生的蛋白质。本发明可得到低镉积累水稻,降低食品风险。

    院属单位:中国科学院植物研究所

    联系人:何振艳

    联系方式:010-62836690

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