本发明涉及一种无碲存储材料、制备方法及应用。其特征在于所述的 存储材料为硅-锑混合物,组成通式为SixSb100-x,0<x<90,优先推荐组成为 5≤x≤70。所述的材料在外部能量作用下为电驱动、激光脉冲驱动或电子束 驱动。通过调整这种材料中两种元素的组份,可以得到具有不同结晶温度、 熔点和结晶激活能的存储材料。所提供的材料体系具备如下优点:较好的可 调性、较强的数据保持能力、较简单的成份和制备工艺、对半导体设备没有 污染、较好的可加工性、环境友好性等,具有广阔的应用前景。硅-锑合金 材料是用于存储器的理想存储介质。
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发明专利
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专利名称：一种无碲存储材料、制备方法及应用专利类型：发明专利专利号：CN200710040302.1发布日期：2025-12-17授权公告日：
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