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实用新型

  • 专利名称:CMOS自归零电路
    专利类型:实用新型
    专利号:CN201820156282.8
    发布日期:2025-11-19
    授权公告日:
  • 详细内容

    本专利公开了一种CMOS自归零电路,包括一个0.5PF的自归零电容、一个1PF的积分电容和两个降低电荷注入效应的NMOS管。当自归零开关S1和S2为高电平时,电路处于复位期间,将放大器失调电压和噪声电压存储在自归零电容上,S1‑为控制补偿管开关,减小S1开关的电荷注入效应。放大器采用差分输入的一级折叠共源共栅结构,克服了传统的二级放大器使用的米勒补偿电容在低温77K下容易引起振荡的缺点;该自归零电路在常温和低温77K之间都能正常工作,噪声比传统的电路低,可应用于非均匀性较大的中波线列红外HgCdTe探测器信号的读出。

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