本成果主要是一种低维超级电容器电极材料的构筑和性能调控技术，针对电容器材料存在高电容和高稳定性难以有效兼容等问题。
本成果首次采用羧基化策略，实现了石墨烯表面官能团的最大化利用，构筑了结构稳定的高容量超级电容器复合材料； 使用多元醇还原调介石墨烯表面羟基化，引导构筑二维分级孔复合材料，协同提升超级电容高倍率性能。
提出了一种先插层剥离，再静电自组装，构筑具有超晶格结构石墨烯/层状双金属氢氧化物复合电极材料的方法，首次提出用含共轭π电子结构的非离子型表面活性剂辅助剥离石墨烯片，批量化制备高纯度、大面积的少层石墨烯，同时设计了一维同轴核/壳纳米复合结构，核/壳组分均采用高赝电容材料，其中核组分具有高的强度和良好的导电性，壳组分具有保护和维持电极结构稳定性作用。
采用高强度、高导电的双电层电容材料为核，高赝电容材料为壳，构建 同轴空心核/片状壳复合结构，充分利用高比表面，协同提升倍率电容性能；利用分步电沉积技术原位构筑电极基底/梯度复合活性材料一体化电极，解决了材料高电容和高稳定性难以有效兼容问题；利用电化学技术优化电极基底结构，原位生长高活性赝电容材料，实现无导电剂和粘结剂的高性能超级电容器电极制作。
应用前景：
本成果制备的低维超级电容器电极材料，采用的是特殊的氧化还原法制备二维石墨烯，可以确保表面功能性结构不被破坏，因而得到均匀分散的高品质石墨烯，构筑的较大的孔道有利于外部电解质离子进入电极内部，从而获得高的倍率电容，设计的聚吡咯/石墨烯复合材料具有高的赝电容储能特点，未来在商用化运用上具有极大的材料优势，应用前景巨大。
成熟度：实验室阶段
