氮化铝基底金属化薄膜制备技术_淮海经济区技术产权交易中心

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氮化铝基底金属化薄膜制备技术

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简介： 氮化铝 (AIN) 陶瓷是理想的高导热基底，广泛应用于高功率器件、电路和组件。 AIN 在器件中应用的关键技术是金属化，目前存在膜层结合性差、致密性低等问题。本技术主要采用真空磁控溅射技术，通过控制多层金属薄膜种类、沉积温度、时间和基底偏压来形成具有优良性能的金属化薄膜或图案，获得 AlN 陶瓷上金属化多层薄膜AIN-Ti-Ti/Cu-Cu,AIN 上金属化薄膜技术具有下列优点：
1. AIN 上金属化薄膜具有高粘附力高导电性；
2. 金属化薄膜电学和热学稳定性好，抗冷热冲击能力，抗裂纹扩展能力较好；
3. 金属化薄膜具有微观结构可调控，根据需求可沉积柱状，层状及多孔金属化薄膜以满足不同的需求；
4. 生产过程对环境无污染，金属化薄膜形成速度快。
技术指标：
1. 沉积层厚度：200nm-10μm;
2. 沉积层硬度： 200-300HV;
3. 电阻率：
可作为高导电和高粘附力金属材料用于微型电子器件中的薄膜电极使用。可作为陶瓷基底与其它材料之间的过渡缓冲层，利用高粘附及优良的力学性能获得具有长周期高可靠的多层薄膜。可用于后续焊接工艺与金属引线等。可实现金属薄膜周期排布以及微型图案化，在1μm-30mm 陶瓷基底范围内获得各种表面功能的金属化图案薄膜(如圆柱阵列，矩形阵列，三角阵列)。
利用简单可控的溅射技术，实现了 AIN 陶瓷的薄膜金属化， Ti-Cu/Ti 作为 Cu 与 AIN 的过渡层，降低了膜的电阻率，改善了结合力，增强了可靠性，与光刻技术配合，获得了复杂的金属薄膜周期排布与电路图案，此技术具有广阔的应用前景。
详细内容

氮化铝 (AIN) 陶瓷是理想的高导热基底，广泛应用于高功率器件、电路和组件。 AIN 在器件中应用的关键技术是金属化，目前存在膜层结合性差、致密性低等问题。本技术主要采用真空磁控溅射技术，通过控制多层金属薄膜种类、沉积温度、时间和基底偏压来形成具有优良性能的金属化薄膜或图案，获得 AlN 陶瓷上金属化多层薄膜AIN-Ti-Ti/Cu-Cu,AIN 上金属化薄膜技术具有下列优点：
1. AIN 上金属化薄膜具有高粘附力高导电性；
2. 金属化薄膜电学和热学稳定性好，抗冷热冲击能力，抗裂纹扩展能力较好；
3. 金属化薄膜具有微观结构可调控，根据需求可沉积柱状，层状及多孔金属化薄膜以满足不同的需求；
4. 生产过程对环境无污染，金属化薄膜形成速度快。
技术指标：
1. 沉积层厚度：200nm-10μm;
2. 沉积层硬度： 200-300HV;
3. 电阻率：<3μΩcmc
可作为高导电和高粘附力金属材料用于微型电子器件中的薄膜电极使用。可作为陶瓷基底与其它材料之间的过渡缓冲层，利用高粘附及优良的力学性能获得具有长周期高可靠的多层薄膜。可用于后续焊接工艺与金属引线等。可实现金属薄膜周期排布以及微型图案化，在1μm-30mm 陶瓷基底范围内获得各种表面功能的金属化图案薄膜(如圆柱阵列，矩形阵列，三角阵列)。
利用简单可控的溅射技术，实现了 AIN 陶瓷的薄膜金属化， Ti-Cu/Ti 作为 Cu 与 AIN 的过渡层，降低了膜的电阻率，改善了结合力，增强了可靠性，与光刻技术配合，获得了复杂的金属薄膜周期排布与电路图案，此技术具有广阔的应用前景。