Ⅱ-VI 族化合物半导体具有优异的光电性能，在光电领域有着广泛应用。高质量I-VI 族化合物薄膜制备是其 光学和光电器件应用的关键之一，针对国际上目前以常规物理气相方法制备该类薄膜材料存在的可控性不佳、成 本高等问题，我们提出了一种低成本且高效的薄膜制备技术，同时采用常规表征手段结合正电子湮没技术对材料 微观结构和性能进行分析。使用本技术制备的II-VI 族化合物薄膜材料具有成本低、质量良好、可控性好等优 点，可应用于太阳能电池、红外、透明导体、发光等领域。
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化合物半导体薄膜材料制备技术
类型：成熟度：专利号/型号：交易方式：简介： Ⅱ-VI 族化合物半导体具有优异的光电性能，在光电领域有着广泛应用。高质量I-VI 族化合物薄膜制备是其 光学和光电器件应用的关键之一，针对国际上目前以常规物理气相方法制备该类薄膜材料存在的可控性不佳、成 本高等问题，我们提出了一种低成本且高效的薄膜制备技术，同时采用常规表征手段结合正电子湮没技术对材料 微观结构和性能进行分析。使用本技术制备的II-VI 族化合物薄膜材料具有成本低、质量良好、可控性好等优 点，可应用于太阳能电池、红外、透明导体、发光等领域。 -
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