1.在新型平板显示中，当下新兴的高清显示、虚拟现实以及裸眼3D 显示技术都要求使用高速电路， 未来器件的工作频率将越来越高。
2. 预期几年之内，TFT 的动态退化将成为制约器件可靠性提高的瓶颈。
3. 本项目根据低温多晶硅TFT 的动态退化模型，提出并设计一种含退化抑制结构的新型高可靠性 多晶硅TFT: 在传统的三端TFT 器件沟道侧面制备与沟道互补掺杂的第四端——sub 端。
4. 优势：
在新型TFT 器件中，引入退化抑制结构之后，器件的正常工作状态不会受影响，但TFT 的动态退 化效应会被大幅抑制，从而延长显示寿命；
该工艺与CMOS TFT工艺技术相兼容，且不需要包含LDD 结构，但其退化抑制效果优于LDD器件；③即使当Vsub 处于反偏状态(例如-2V 电压),虽然其退化抑制的效果弱于sub 零偏或正偏时， 但动态退化抑制结构依然有效。
5.该技术方案已申请发明专利，目前已通过复审，即将获得授权。同时申请的PCT 国际专利也在 实质审查阶段。
